N-Channel MOSFET
SFI50N03AT 采用稳先微电子先进的高密度沟槽技术制造,低导通电阻,高雪崩击穿耐量,可广泛应用于电工工具,锂电保护,PD快充和直流无刷电机等应用。
30V, 50A
RDS(ON) = 4.7mΩ (Max.) @ VGS = 10V
RDS(ON) = 10mΩ (Max.) @ VGS = 4.5V
低导通电阻
低栅电荷
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SFI50N03AT_EN_A2.pdf