产品

N-Channel MOSFET

产品描述

SFI50N03AT 采用稳先微电子先进的高密度沟槽技术制造,低导通电阻,高雪崩击穿耐量,可广泛应用于电工工具,锂电保护,PD快充和直流无刷电机等应用。

主要特点


30V, 50A

RDS(ON) = 4.7mΩ (Max.) @ VGS = 10V

RDS(ON) = 10mΩ (Max.) @ VGS = 4.5V 

低导通电阻

低栅电荷

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规格书

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SFI50N03AT_EN_A2472KB

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