N-Channel MOSFET
产品描述
SFG60N03AT 采用稳先微电子先进的高密度沟槽技术制造，低导通电阻，高雪崩击穿耐量，可广泛应用于电工工具，锂电保护，PD快充和直流无刷电机等应用。
主要特点
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低栅极电荷
规格书
| 文档名称 | 文档描述 | 下载 |
|---|---|---|
| SFG60N03AT_EN_A0 | 497KB |
N-Channel MOSFET
SFG60N03AT 采用稳先微电子先进的高密度沟槽技术制造，低导通电阻，高雪崩击穿耐量，可广泛应用于电工工具，锂电保护，PD快充和直流无刷电机等应用。
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低栅极电荷
| 文档名称 | 文档描述 | 下载 |
|---|---|---|
| SFG60N03AT_EN_A0 | 497KB |
