双栅功率MOS管
SEG8619AG 采用稳先微电子与VIS联合开发的DOUBLEGATETM MOS技术制造,开关损耗较低,同时拥有较好的均一性和稳定性,可广泛应用于锂电池保护,同步整流,DC/DC变换器等应用。
100V, 60A
RDS(ON) = 9.5mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 20A
低 RDS(on) & FOM
低开关损耗
兼顾稳定性与均一性
100% UIS测试 , 100% △VDS 测试
SEG8619AG_EN_A4.pdf