产品

产品描述

WSDD18A4Y1N 产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。

WSDD18A4Y1N 包括了先进的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路。

WSDD18A4Y1N 具有非常小的DFN2x2-6L 封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

WSDD18A4Y1N 具有过充、过放、过流、短路等所有电池需要的保护功能,并且工作时功耗非常低。

WSDD18A4Y1N 不仅仅为穿戴设备而设计,也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。


主要特点


  • 内部集成等效20mΩ的先进功率MOSFET

  • 超小封装DFN2x2-6L

  • 过温保护OTP

  • 充电过电流保护IIOCC

  • 过放可自恢复功能

  • 三段过流保护

    - 放电过流保护1 IIOV1

    - 放电过流保护2 IIOV2

    - 负载短路保护ISHORT

  • 充电器检测功能

  • 0V 电池充电功能

  • 延迟时间内部设定

  • 防反接功能

  • 高ESD 可靠性能力

  • 高精度电压检测

    - 常规精度:±50mV

  • 低静态电流

    - 正常工作电流:3.0μA

    - 待机电流:1.5uA

  • 兼容ROHS 和无铅标准



规格书

文档名称文档描述下载
WSDD18A4Y1N_datasheet_A0251KB

WSDD18A4Y1N_datasheet_A0.pd