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2020-02-07
【功率器件研究所】第三课:如何理解IGBT
一、IGBT的定义绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是近年来高速发展的新型电力半导体场控自关断功率器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,其单体或模块主要应用于UPS、电焊机、电机驱动等大功…
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2020-01-03
【功率器件研究所】第二课:如何理解功率MOSFET规格书(4/4)
七.雪崩特性这些参数是MOSFET在关断状态能承受瞬时过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态,这个强度是由外壳温度为25 ˚ C时漏极接非钳位电感,器件非重复关断所能承受的能量来定义的。图7.1IRFB11N50A datasheet section 8这个能量水平在外壳温度越高时越小。非重复意味着电路不应设计成使功率…
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2019-12-27
【功率器件研究所】第二课:如何理解功率MOSFET规格书(3/4)—— 动态参数
六.动态参数图6.1IRFB11N50A datasheet section 7如图6.1,这组数据给出了结温25度时的动态参数,这些参数反应了器件在应用时的真实状态。这些动态参数是相辅相成的,有很多的内在联系,但大致可以分为四类:跨导,电容,电荷以及开关时间。对于高压器件来说,其最高的开关频率为100kHz,此时电容参数对它很重要。对于低压…
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2019-12-13
【功率器件研究所】第二课:如何理解功率MOSFET规格书(2/4)
五.静态参数图5.1IRFB11N50Adatasheet section 6这里给出了结温25度时的静态参数,这些参数常出现在各类测试数据报告中,是必测的参数之一。1.漏源击穿电压V(BR)DSS:这个参数就是我们常说的BVDSS,是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压,也就是漏源间寄生二极管的反向击穿电压。一般定义为漏电…
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2019-12-06
【功率器件研究所】第二课:如何理解功率MOSFET规格书(1/4)
一. 器件标称及应用说明图1. IRFB11N50Adatasheet section 2Datasheet开篇一般都会给出本器件的性能标称,即额定电流,额定电压及最大RDS(ON)值。此外,还会结合本器件的性能特点,给出适合的应用领域。这里给出的应用领域是开关模式电源支持(SMPS),不间断电源(UPS)及高速电源开关。二. 器件特点及封装形式图2.IRFB11N50…
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2019-11-08
【功率器件研究所】第一课:如何理解功率MOSFET的电特性参数
一、VDMOSFET器件基本工作原理金属氧化物半导体场效应晶体管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)在过去十几年里,引发了电源工业的革命,大大促进了电子工业的发展。其中又以功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Power Vertical Double diffused MOSFET)近年来的发展最应人注目。功率VDMOSF…
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